6.2：Flash 地址对齐
表中列出常用芯片的Flash地址对齐信息汇总，PowerWriter 适配的大部分芯片支持单字节对齐，也即无须额外对齐，Power Writer对于没有对齐到下表的用户固件，回读数据并对齐写入，此功能绝大部分时候都是可行的，但部分芯片不支持多次写入，比如 STM32H7，为了保证用户能正常烧写芯片，按表中对齐固件依然是最佳的选择方案，此表仅供查询参考：
| 芯片系列 | FLASH 基地址 | 支持对齐方式 |
|---|---|---|
| STM32F0xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 2 字节对齐 |
| STM32F1xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 2 字节对齐 |
| STM32F2xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| STM32F3xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 2 字节对齐 |
| STM32F4xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| STM32F7xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| STM32L0xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| STM32L1xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| STM32L4xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐 |
| STM32L5xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐 |
| STM32G0xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| STM32G4xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐 |
| STM32WBxx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐 |
| STM32H7xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 32 字节对齐 |
| GD32F10x | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32F1x0 | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32F20x | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32F30x | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32F3x0 | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32F4xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32E230 | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| GD32E103 | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32F00x | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32F0xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32F1xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32L0xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32L3xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32SPINxx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32W0xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| MM32W3xx | 0x08000000 | 相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐 |
| ... | ... | ... |
注意
- Power Writer 将对其信息已经进行自动处理，在添加固件时如果没对齐到首地址，将会报错，并无法添加固件。
- 对其信息后续将不会继续添加维护，重点在于介绍芯片的写入方式，有一个概念性的了解。