5.1 Flash-IC 烧录座
除了提供标准的烧录座之外，可在 PowerWriter Flash Socket bom 页面下载烧录做的参考设计，根据自己需求，机台进行调整，如需定制需求，请联系反馈至 cs@icworkshop.com。
PowerWriter X1 设备，支持 SPI Nor Flash / SPI NAND / I2C EEPROM / Microwire EEPROM Flash 芯片的，由于FLASH 烧录座相对较为统一、同时通用性较好，为了提高编程的稳定性，PWX1 设备可选配标准的Flash 烧录座，当前汇总的烧录座列表参考如下：
- DIP8
- SOP8-150：
- SOP8-150 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽度: 3.8mm/150mil)
- SOIC8-150 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽度: 3.8mm/150mil)
- SOP8-200
- SOP8-200 : (引脚间距:: 1.27mm) / (芯片宽度: 5.2mm/200mil)
- SOIC8-200 : (引脚间距:: 1.27mm) / (芯片宽度: 5.2mm/208mil)
- SOP8-208 : (引脚间距:: 1.27mm) / (芯片宽度: 5.2mm/208mil)
- SOIC8-208 : (引脚间距:: 1.27mm) / (芯片宽度: 5.2mm/200mil)
- TSSOP8-170
- TSSOP8-173 : (引脚间距: 0.65mm) / (芯片宽度: 4.4mm)
- MSOP8
- MSOP8 : (引脚间距: 0.65mm) / (芯片宽度: 3mm)
- UDFN8-3×2
- USON8 : (引脚间距: 0.5mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 3x2mm)
- UDFN8 : (引脚间距: 0.5mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 3x2mm)
- DFN8 : (引脚间距: 0.5mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 3x2mm)
- QFN8 : (引脚间距: 0.5mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 3x2mm)
- SOT23-6
- SOT23-5 : (引脚间距: 0.95mm)
- SOT23-6 : (引脚间距: 0.95mm)
- WSON8-8×6
- WSON8 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 8x6mm)
- QFN8 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 8x6mm)
- WSON8-6×5A
- WSON8 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 6x5mm)
- QFN8 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 6x5mm)
- USON8 : (引脚间距: 1.27mm) / (芯片宽 x 高 (不含引脚): 6x5mm)
- 其他待更新
5.1.1 选用建议
Flash 烧录座为PWX1 量身定制，在进行烧录座的选用时，只需根据芯片的封装选用烧录座即可，比如以下某款Flash 芯片的手册 Package type 中标明了芯片的的封装类型，名称分别叫做 SOIC 208-mil 和 WSON ，当选用 SOIC 封装的Flash 时，则可选用 SOP8-200的烧录座进行烧录，当芯片为 WSON 6x5 时，可以选用的烧录座为：WSON8-6×5A，依次类推。
5.1.2 用法
5.1.2.1：烧录座配置
PWX1 的flash 烧录座，将同封装的多种Flash 进行合并，兼容到一个烧录座之上，由于不同的芯片引脚可能存在差异，所以，烧录座上，预留了三挡拨码开关，如下所示，并在烧录座上进行了切换方向的标注，如下所示：
以WSON8-6x5 的封装为例，默认拨码开关全部朝上拨，当使用 Microwire 的 EEPROM （有ORG 引脚）时，拨码开关全部往下方向，即可实现所有 WSON8 封装的Flash 芯片烧录。
5.1.2.1：和设备直连
Flash 烧录座可和烧录器直连。
只有在烧录Flash 芯片时，才能进行对插，避免IO 信号不一致，损坏烧录器的 信号IO。
5.1.2.2：使用延长线连接
使用 标准 20-PIN JTAG 连接线连接设备和烧录座，进行延长。
5.1.3 查询
请访问 https://www.powerwriter.com/index/index/chip_search.html 根据芯片查询烧录座信息。