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版本:1.0.0

Flash 地址对齐

表中列出常用芯片的基地址对齐信息汇总,PowerWriter 适配的大部分芯片支持单字节对齐,也即无须额外对齐,Power Writer对于没有对齐到下表的用户固件,回读数据并对齐写入,此功能绝大部分时候都是可行的,但部分芯片不支持多次写入,比如 STM32H7,为了保证用户能正常烧写芯片,按表中对齐固件依然是最佳的选择方案,此表仅供查询参考:

芯片系列FLASH 基地址支持对齐方式
STM32F0xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 2 字节对齐
STM32F1xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 2 字节对齐
STM32F2xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
STM32F3xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 2 字节对齐
STM32F4xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
STM32F7xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
STM32L0xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
STM32L1xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
STM32L4xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐
STM32L5xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐
STM32G0xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
STM32G4xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐
STM32WBxx0x08000000相对于 FLASH 基地址 8 字节对齐
STM32H7xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 32 字节对齐
GD32F10x0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32F1x00x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32F20x0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32F30x0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32F3x00x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32F4xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32E2300x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
GD32E1030x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32F00x0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32F0xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32F1xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32L0xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32L3xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32SPINxx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32W0xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
MM32W3xx0x08000000相对于 FLASH 基地址 4 字节对齐
.........
注意

Power Writer 将对其信息已经进行自动处理,在添加固件时如果没对齐到首地址,将会报错,并无法添加固件。

对其信息后续将不会继续添加维护,重点在于介绍芯片的写入方式,有一个概念性的了解。